Chính Chủ gửi tin Bán đất

Thời gian đăng tin: 30/01
Tin về hệ thống lúc: 08:29 30/01
Địa chỉ: Trần Duy Hưng - Cầu Giấy
Diện tích: 535 m2, 760 m2, 425 m2

Oe750 - Máy Quang Phổ (Oes) Phân Tích Hợp Kim - Hitachi Hightech

Máy quang phổ (OES) phân tích hợp kim - Hitachi - OE750

Sử dụng nhiều công nghệ vượt trội: cảm biến CMOS, công nghệ Jet-stream, auto profiling

Máy quang phổ phân tích hợp kim sử dụng phương pháp quang phổ phát xạ rất phổ biến trong phân tích hợp kim nhờ khả năng phân tích được nguyên tố carbon.

Bộ nguồn tạo tia lửa điện thế hệ mới của thiết bị đảm bảo khả năng kích thích tối ưu cho nhiều loại hợp kim khác nhau.

Hệ quang học Multi-CMOS độ phân giải cao cho phép phân tích chính xác cho toàn bộ dải phổ cho tất cả các hợp kim với các nền khác nhau

Bộ gá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, cho phép việc phân tích an toàn, hiệu quả cho các mẫu với hình dạng khác nhau, kể cả có hình dạng bất thường.

Khả năng phân tích lên đến 35 nguyên tố (tùy loại hợp kim)

Có khả năng phân tích C, S với giới hạn thấp tới 2 ppm

Có khả năng phân tích nguyên tố khí O, H, N.

Cấp kèm 1 cơ sở dữ liệu Mác vật liệu (GRADE database) với hơn 350,000 Mác hợp kim theo hơn 15 triệu tên gọi khác nhau từ 70 nước và nhiều tiêu chuẩn (DIN/EN, ASTM, AISI, JIS, Gost… )

Chia sẻ dữ liệu tức thì ONLINE qua Cloud Server với chức năng ExTope Connect

425 mm x 760 mm x  535mm (WxDxH)

100 - 2xxxV AC (50/60 Hz)

Công suất tiêu thụ chế độ chờ

Theo nguyên lý Paschen-Runge Mounting

Đường truyền ánh sáng trực tiếp đến buồng quang học.

119 – 670 nm (có thể mở rộng lên 766 nm)

Cảm biến Multi-CMOS (4096 pixel per chip) với độ phân giải Pixel được tối ưu hóa.

Bơm có công suất 700w, có độ ồn thấp, ít phát sinh nhiệt và không cần bảo dưỡng bơm.

Kết nối qua Shut-off- valve, dễ dàng bảo dưỡng và thay thế cửa sổ quang học

Kỹ thuật phát tia lửa điện năng lượng cao (HEPS) giúp đốt mẫu tốt hơn

Cài đặt các thông số bằng phần mềm

Bộ gá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, có thể đặt có những mẫu có kích thước

Kết cấu Jet-Stream-electrode cho thực hiện trên các mẫu nhỏ và mẫu có hình dạng phức tạp. Tối ưu hóa mức tiêu thụ Argon là thấp nhất.

Bàn kẹp mẫu được điều chỉnh đa năng

Tấm nắp có thể thay đổi cho từng loại mẫu khác nhau.

Giới hạn phân tích của 1 số nguyên tố

C: 2 ppm; B: 1ppm; Si: 5 ppm; P: 2 ppm; S: 2 ppm; Mg: 1 ppm; N: 5 ppm; O: 10ppm;

Tin bạn đang xem là tin cũ được đăng tải trên mạng do chúng tôi tìm kiếm được. Để cập nhật nhiều tin mới xin hãy mua tài khoản người dùng. Chi tiết xin xem mục Báo giá Thanh toán.

SANCHINHCHU.COM không chịu trách nhiệm nội dung người dùng đăng tải trên websites này.